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IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
6
10
4000
310
70
21
50
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 W (External),
33
62
32
50
100
50
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
122
30
155
45
nC
nC
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
Q gd
50
80
nC
B
20.80 21.46
0.819 0.845
R thJC
R thCK
0.25
0.42
K/W
K/W
C
D
E
F
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
J
K
L
M
1.0 1.4
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
I S
V GS = 0 V
10N100
10
A
N
1.5 2.49
0.087 0.102
12N100
12
A
13N100
12.5
A
TO-204 AA (IXFM) Outline
I SM
Repetitive;
pulse width limited by T JM
10N100
12N100
13N100
40
48
50
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
2
250
400
ns
ns
m C
m C
I RM
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
10
15
A
A
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
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